走査型透過電子顕微鏡

電子銃	ショットキー電子銃
加速電圧	200kV
分解能	0.204nm
倍率範囲	×100～10,000k（観察時）、×100～5,000k（撮影時）
検出信号	位相コントラスト像、Zコントラスト像、二次電子像、特性X線

・半導体デバイス等のナノ領域／サブナノ領域の薄膜評価解析装置です。
・迅速観察：高圧昇圧3分(standby→200kV)、試料交換2分以内
・高分解能STEM像：位相コントラスト像にて0.204nmを保証。(倍率4,000k、試料：金単結晶薄膜)高分解能観察モードで低倍率からの無調整観察・分析が可能。
・位相コントラスト像：位相コントラスト像は、透過電子顕微鏡と同じく位相コントラストや回折コントラストによって、結晶バンダリーなどを観察できます。
・Zコントラスト像：Zコントラスト像は、Zコントラスト検出器で散乱電子を検出して像を形成します。このモードでは、原子番号効果により重い元素や高密度の部分など、組成の差がコントラストとして観察できます。
・高感度EDX分析：X線取り出し角度20°以上、立体角0.3sr以上とし、高感度なEDX分析が可能。試料ドリフト補正機能を使用することで、より高感度なEDX分析を行うことができます。

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