磁気技術によって脱炭素化に貢献！
炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の登場によってシリコン（Si）パワー半導体では困難であった電源システムの小型軽量化・高効率化が可能になったものの・・・、さらなる進展のためには革新的な低損失／高周波磁性材料の開発が必須！！
（左）基板内蔵磁気デバイスの開発（写真はUFO-Nagano1階クリーンルームにおけるフォトリソグラフィ作業の様子） （右）超低損失Fe系ナノ結晶合金薄帯を作製する合金溶湯急冷装置を保有
電気エネルギーの有効活用を実現するキー技術として革新的パワーエレクトロニクスの研究開発が世界的に活発になっています。先端磁気デバイス研究室（佐藤敏郎教授、曽根原誠准教授）では、パワーエレクトロニクス装置の高性能化のボトルネックになっている磁性材料や磁気デバイス（インダクタやトランス）に対して高周波化と革新的な低損失を実現する新規の磁性材料の開発と磁気デバイスへの適用、パワーエレクトロニクス装置への実装など、川上から川下に至る研究開発を推進しています。
研究から広がる未来
電気エネルギーの高効率利用技術は知的電力系統（スマートグリッド）や様々な産業応用のみならず、家庭電化製品、電気自動車、ドローン、電動航空機など、持続可能なエネルギー利用社会を支える基盤技術として、今後、益々重要になっていくでしょう。
卒業後の未来像
研究室では、材料開発からデバイス試作、回路システムへの実装・評価を一貫して推進し、川上から川下に至る経験とスキルを身に着けることができます。卒業後は大手電機メーカー、電子部品メーカー、電力、鉄道、研究機関など幅広い分野で活躍しています。
プロフィール
1989年3月千葉大学大学院博士課程修了後、東芝総合研究所、同社半導体事業本部LSI技術部を経て、1996年9月信州大学工学部助教授。2005年4月より現職。 航空宇宙システム研究拠点長。研究分野は高周波磁性材料／デバイス／センサの開発。
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| 個人サイト | http://amdl.shinshu-u.ac.jp/ |