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信州大学工学部 電子情報システム工学科

劉 小晰

Non-volatile memory based on spintronics 電子のスピンを用いた新しい不揮発性メモリ

研究室のナノリソグラフィー加工の例。この画像は原子間力顕微鏡のイメージです。1 nm=10億分の1メートル

研究室のナノリソグラフィー加工の例。この画像は原子間力顕微鏡のイメージです。1 nm=10億分の1メートル

研究室で作製したスピンメモリ素子

研究室で作製したスピンメモリ素子

劉研究室では、電子の電荷とスピンを制御することによって、より高密度、高速、低消費電力の不揮発性メモリ及び不揮発性ロジック素子の創成を目指します。注力しているのは、電流、電圧によるスピンの方向の直接かつ自由に制御に向かってチャンレンジしています。研究室では、髪の毛の直径の千分の一以下の厚さを持つ薄膜の作製技術とフォトリソグラフィーを用いたマイクロスケールの微細加工技術を組み合わせて、新規なメモリ素子の形成とその電気伝導特性、磁気特性、微細構造等様々な評価を行っています。

研究から広がる未来

現在電子の電荷制御を用いたロジック・メモリデバイスは高度情報化社会の中枢を担うに至っています。しかしながら微細化にすることによって、電荷の漏れ(リーク電流)の増大等問題が頭在化しています。一方、電子のスピン制御に関する技術を利用したメモリ・ロジックデバイスは、記憶不揮発性、高速動作、高集積化、高信頼性及び繰り返し耐性等の特長を持ち、Beyond CMOSの有力な候補となっています。

卒業後の未来像

大学院の進学率は平均で約50%。主な就職先は電気系会社、公務員等。常に広い視野で、大きな夢を持つこと、そして世界に通用する人材の育成は研究室の教育目標です。

プロフィール

群馬大学博士研究員、イギリスグラスゴー大学博士研究員、信州大学准教授を経て、2014年により現職。専門分野は磁気と磁性材料工学、スピントロニクスとその情報デバイスへの応用。

電子メールアドレス
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個人サイト http://www.cs.shinshu-u.ac.jp/~liu/
オフィスアワー 部屋:5F 517室

原則として、木曜日の16時から18時とします。出張等により不在の場合はメールで連絡してください。