研究業績
1.研究論文・国際会議プロシーティング 本ページトップへ
2021年度
E. Ohba，T .Kobayashi，T. Taishi，K. Hoshikawa
Growth of (100) ，(010)，and (001) β-Ga2O3 single crystals by vertical Bridgman method.
J.Cryst.Growth, 556 (2021) 125990.
Y.Kagami，S.Yamamoto，Y.Yokobayashi，R.Uchida，K.Suzuki，S.Taruta，T.Taishi
Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor.
Journal of Ceramics Society of Japan，129，1-7，2021.
2020年度
宇田聡，川瀬智博，太子敏則
酸化物および化合物半導体バルク結晶成長における温度勾配
日本結晶成長学会誌, 46 (2) (2020), 05-1-9.
太子敏則
バルク結晶育成における融液中および結晶中の温度勾配測定
日本結晶成長学会誌, 46 (2) (2020), 01-1-9.
K. Suzuki, T. Taishi
The effect of Al addition to a Cr solvent without molten Si on the surface
morphology in a solution growth of SiC
Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 025504.
2019年度
K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi
Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth
Applied Surface Science 513 (2020) 145798.（国際共著）
K. Hyun, S.J. Kim and T. Taishi,
Estimation of C Solubility at SiC Saturation from the Reaction of Carbon Crucible with Si–Cr Solvent for Top-Seeded Solution Growth
ACTA PHYSICA POLONICA A, 135, 1012-1017.（国際共著）
太子敏則，土本直道，高橋大，玄光龍，鈴木皓己
TSSG 法によるSiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ後の結晶品質に与える影響
J. Flux Growth 14 (2019) 25-29.
小松 貴幸, 太子 敏則, 小島 孝広, 笹浦 正弘
タンタル酸ニオブ酸カリウムの電気光学効果とその単結晶製造技術
応用物理,88(5):341-347 2019.
藤原靖幸, 太子敏則, 干川圭吾, 小浜恵一, 胡肖兵, 小林俊介, 幾原裕美, Craig Fisher, 幾原雄一, 射場英紀
固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶
日本結晶成長学会誌,46(1):04(1-9) 2019.
2018年度
Koki Suzuki, Koangyong Hyun, Toshinori Taishi
Effect of the Growth Conditions on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC Using Cr Solvent without Molten Si
Material Science Forum 924, 35-38, 2018.
Koangyong Hyun, Toshinori Taishi, Koki Suzuki, Katsuya Teshima
Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M = Transition Metal) Solvents for Solution Growth of SiC
Material Science Forum 924, 43-46, 2018.
Toshinori Taishi, Masaru Takahashi, Naomichi Tsuchimoto, Koki Suzuki, Koangyong Hyun
Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
Material Science Forum 924, 51-54, 2018.
2016年度以前
Yasuyuki Fujiwara, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Keiichi Kohama, and Hideki Iba Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1-x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
Japanese Journal of Applied Physics 55 (2016) 090306.
T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, Ma. Sasaura, Y. Furukawa, and T. Komatsu
The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method
Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions, Volume 258, pp.105-112, 2016.
太子敏則、干川圭吾、小島孝広、笹浦正弘、小松貴幸
垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）単結晶の育成と組成均一化
日本結晶成長学会誌,43:23-31 2016.
Y. Fujiwara, T. Taishi, K. Hoshikawa, K. Kohama, H. Iba
Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1-x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
Jpn. J. Appl. Phys.,55:090306-1-3 2016.
T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, M. Sasaura, Y. Furukawa, T. Komatsu
The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method
Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions,258:105-112 2016.
S. Yamada, M. Yoshimura, S. Sakata, T. Taishi, K. Hoshikawa,
Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique
J. Cryst. Growth,448:1-5 2016(Jul.)
M. Yoshimura, Y. Sakata, S. Yamada, T. Taishi, K. Hoshikawa
The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique
using an a-axis Al2O3 seed
J. Cryst. Growth, 427, 16-20, 2015
M. Yoshimura, S. Sakata, H. Iba, T. Kawano, K. HoshikawaM
Vertical Bridgman growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite
J. Cryst. Growth, 416, 100-105, 2015
T. Suzuki, K. Shirotsuki, M, Shinozuka, T. Taishi, K. Hoshikawa
Contact angle of sapphire melt and bubble generation on crucible material
J. Cryst. Growth, 401, 508-510, 2014.
T. Taishi, T. Kobayashi, M. Shinozuka, E. Ohba, C. Miyagawa, K. Hoshikawa
Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystal
J. Cryst. Growth, 401, 388-391, 2014
K. Hoshikawa, T. Taishi, E. Ohba, C. Miyagawa, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka
Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process
J. Cryst. Growth, 401, 146-149, 2014.
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation
Journal of Crystal Growth 402 (2014) 83-89.
I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Jutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno
Czochralski growth of tin-doped Si crystal
J. Cryst. Growth, 395, 94-97, 2014.
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth
J. Cryst. Growth, 393, 42-44, 2014.
Y. Ohno, T. Taishi, N. Bamba, I. Yonenaga
Microstructure of striae in <0441>-oriented lithium niobate single crystal growth by Czochralski method
J. Cryst. Growth, 393, 171-174, 2014.
K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga
Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements
J. Cryst. Growth, 393, 45-48, 2014.
T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Improved Czochralski Growth of Germanium Single Crystals from a Melt Covered by Boron Oxide
ACTA PHYSICA POLONICA A, 124, 231-234, 2013.
T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Constitutional supercooling in Czochralski Si crystal growth heavily doped with B, Ge and As
Proceedings of The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, 127-131, 2014.
T. Taishi, T. Takenaka, K. Hosokawa, N. Bamba, K. Hoshikawa
Growth of potassium tantalite (KTaO3) crystals by directional solidification
J. Cryst. Growth, 380, 39-42, 2013.
S.H. Park, T. Minegishi, D.C. Oh, D. J. Kim, J.H. Chang, T. Yao, T. Taishi, I.Yonenaga
Influence of Isoelectronic Te doping on the Physical Properties of ZnO Films Grown by Molucular-Beam Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys., 52, 055501(1-4), 2013.
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
J. Cryst. Growth, 372, 95-99, 2013.
S.H. Park, T. Minegishi, D.C. Oh, J.H. Chang, T. Yao, T. Taishi, I.Yonenaga
p-type conductivity control of heteroepitaxially grown ZnO films by N and Te codoping and thermal annealing
J. Cryst. Growth, 363, 190-194, 2013.
K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa,
I. Yonenaga
Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium : Infrared absorption studies
J. Appl. Phys., 113, 073501 (1-5), 2013.
T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds
The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials, pp.71-74, 2012.
T. Taishi, K. Hoshikawa, H. Sakamoto, H. Suzuki
Solution growth of SiC crystal from the crucible bottom
The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials, pp.67-70, 2012.
I. Yonenaga, T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, K. Inoue, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, Y. Hashimoto
Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method
Physica B, 407, 2932-2934, 2012.
T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, I. Yonenaga
Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B2O3
J. Cryst. Growth, 360, 47-51, 2012.
2.著書--本ページトップへ
電子情報システム工学科 教授 太子敏則
国立大学で大学を学ぼう Vol.2（分担執筆）
P214-P215,フロムページ，2022年1月,ISBN978-4-9910-6781-5.
電子情報システム工学科 教授 太子敏則
液相からの結晶成長入門 育成技術と評価方法（分担執筆）
P140-P148，日刊工業新聞社，2021年12月,ISBN978-4-526-08177-4.
T. Taishi, I. Yonenaga
Growth of Ge crystals with extremely low dislocation density
Germanium: Properties, Production and Applications, pp. 299-315
Nova Science Publications, Inc., 2012, ISBN 978-1-61209-205-8.
3 .国際会議発表 --本ページトップへ
2019年度
Y. Yokobayashi, N. Tsuchimoto, Y. Kagami, S. Yamamoto, K. Suzuki, T. Taishi,
Liquid-phase-based polycrystalline SiC coating by sublimation of Si and C from C-dissolved Si solution
The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electric Materials and Related Nanotechnologies, P2-38, 2019.
S. Ehara, N. Tsuchimoto, K. Suzuki, T. Taishi,
The effect of Co addition to Si-Cr solvent on the surface morphology in top-seeded solution growth of SiC,
The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electric Materials and Related Nanotechnologies, P2-37, 2019.
K. Suzuki, T. Taishi,
Effect of Al Addition on Surface Morphology in Solution Growth of SiC Using Cr Solvent without Molten Si,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Th-P-02, 2019
T. Taishi, K. Hyun, M. Takahashi, N. Tsuchimoto, K. Suzuki,
Dissolution of carbon into Si-Cr solvent in solution growth of SiC by TSSG method
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Tu-P-05, 2019
2018年度
Koji Ogawa, Koyuki Kawakami, Toshinori Taishi
Segregation of B in Si- and Ge-rich SixGe1-x crystal growth
The 8th Forum on Sceience and Technology of Silicon Material 2018, 310-313, 2018.
2018.11.19 Okayama (Japan)
Koyuki Kawakami, Koji Ogawa, Toshinori Taishi
Constitutional supercooling in Si-rich silicon germanium crystal growth
The 8th Forum on Sceience and Technology of Silicon Material 2018, 314-317, 2018.
2018.11.19 Okayama (Japan).
Naomichi Tsuchimoto, Shingo Ehara, Toshinori Taishi
Numerical simulation of carbon concentration in top-seeded solution growth of SiC
The 8th Forum on Sceience and Technology of Silicon Material 2018, 372-376.
2018.11.19 Okayama (Japan).
Koki Suzuki, Toshinori Taishi
Solution growth of SiC without molten Si using concave ceramic SiC feed
The 8th Forum on Sceience and Technology of Silicon Material 2018, 377-381.
2018.11.19 Okayama (Japan).
2017年度
T. Taishi, K. Hoshikawa, E. Ohba, T. Kobayashi, M. Kado, and H. Saitoh,
Electric properties of β-Ga2O3 single crystals grown by VB technique
The 2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, Sep. 14, 2017.
T.Taishi，M.Takahashi，N.Tuchimoto，K.Suzuki, K.Hyun
Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017, September 17-22, 2017.
K.Hyun, T.Taishi, K.Teshima
Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017, September 17-22, 2017.
K.Suzuki,K.Hyun,T.Taishi
The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017, September 17-22, 2017.
K. Suzuki,M. Takahashi, N. Tsuchimoto, K. Hyun, T. Taishi, K. Murayama, S. Harada, T. Ujihara
Evaluation of Polytytpe of SiC Grown by Top-Seeded Solution Growth Technique Using Various Composition of Cr in Si-Cr Based Solvents.
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, September 29-October 1, 2017.
N. Tsuchimoto, K. Suzuki, M. Takahashi, K. Hyun,T. Taishi, K. Murayama, S. Harada and T. Ujihara
The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology
in solution growth of SiC by TSSG method.
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, September 29-October 1, 2017.
2016年度以前
T. Taishi, K. Ito, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, T. Komatsu
Investigation on primary phases in potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystal growth in directional solidification
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy in Nagoya 2016
K. Suzuki、T. Taishi
Solution growth of SiC from metal solvent
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy in Nagoya 2016
T.Taishi et al
Growth of pottassium tantalate niobate(KTaxNb1-xO3: KTN) crystal by the vertical
Bridgman (VB) method
11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications in バンクーバー, 2015
R. K. Arief, T. Taishi, S. Arai,
Characterization of gold-deposited boron-doped conductive silicon prepared by alkali etching as a battery component,
Abstracts of EMNT2014 (10th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technologies), P-039, 2014.
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa,
Temperature distribution analysis for large-size sapphire growth by vertical Bridgman technique,
24th American Association for Crystal Growth and Epitaxy, Western Section Conference on Crystal Growth & Epitaxy, 2014.
T. Taishi et al.
Constitutional supercooling in Czochralski Si crystal growth heavily doped with B, Ge and As
The 7th Forumonthe Science and Technology of Silicon Materials 2014.
C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Effect of heat transfer on the crystal-melt interface shape of sapphire crystal grown using the vertical Bridgman methodM
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
K. Suzuki、T. Taishi
Solution growth of SiC from metal solvent
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy in Nagoya 2016
T. Taishi, T. Kobayashi, M. Shinozuka, E. Ohba, C. Miyagawa, K. Hoshikawa
Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
J. Osada, T. Suzuki, T. Taishi, K. Hoshikawa,
Characteristic Void Alignment in Sapphire Crystals Grown by the Vertical Bridgman Method
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
2013.
E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka, C. Miyagawa, T. Taishi, K. Hoshikawa
Vertical Bridgman Growth of Sapphire Crystals with Thin Neck Formation Process
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
K. Hoshikawa, E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka, C. Miyagawa, T. Taishi
Vertical Bridgman Growth of Sapphire - Seed crystal shapes and seeding processes-
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
T. Suzuki, K. Shirotsuki, T. Taishi, K. Hoshikawa
Specific Surface Free Energy of Crucible Material for Sapphire Crystal Synthesis
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno
Growth of heavily tin-doped Si
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.
I. Yonenaga, T. Taishi
Estimation of stress operating in a Si crystal growth front
The 19th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2012.
T. Taishi
Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt
2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, C6, 2012. (invited)
Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
Morphology and Microstructure of GeAs Islands Formed on Ge(111) Surfaces
International Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS-2012,
M.P.19, 2012.
Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. YonenagaM
Impurity–Dependent Dislocation Dynamics in Ge
International Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS-2012,
M.P.17, 2012.
4.国内学会発表--本ページトップへ
2021年度
福井勇希，細田勝太，太子敏則，渡辺雄太，刈谷宣政
高濃度B添加CZ-Si結晶育成における組成的過冷却発生部位の理論的検証
第69回応用物理学会春季学術講演会，25a-P05-3，青山学院大学＋ハイブリッド，2022.
TLZ法による組成均一SiGe結晶育成とBの偏析係数の検討
第69回応用物理学会春季学術講演会，25p-F408-9,青山学院大学＋ハイブリッド，2022.
VB法で育成したFe-Ga単結晶のGa組成と磁歪特性の関係
第69回応用物理学会春季学術講演会，25p-F408-7，青山学院大学＋ハイブリッド，2022.
VB法による低Ga組成Fe-Ga単結晶育成とGaの偏析
第69回応用物理学会春季学術講演会，25p-F408-6，青山学院大学＋ハイブリッド，2022.
垂直ブリッジマン法（VB）法β-Ga2O3成長と結晶特性
日本学術振興会R032委員会第6回研究会，オンライン開催，2022年3月.
液相SiとCH4ガスによるSiCコーティングの数値解析
第15回日本フラックス成長研究発表会，信州大学工学部，2021年12月.
Cr溶媒からのSiC溶液成長における長尺化の可能性の検討
第15回日本フラックス成長研究発表会，信州大学工学部，2021年12月.
液相Siを用いたSiCセラミックス全面への多結晶SiCコーティング
第50回結晶成長国内会議，28a-A09，オンライン開催，2021年10月.
液相シリコンとメタンによる多結晶SiCコーティング
第50回結晶成長国内会議，27p-A16，オンライン開催，2021年10月.
Cr溶媒からのSiC溶液成長における金属溶媒添加効果と表面形態
第50回結晶成長国内会議，27p-A13，オンライン開催，2021年10月.
2020年度
浅野恵生, 西澤勇利, 干川圭吾, 太子敏則, 川村祥太郎, 大久保和彦, 佐藤昌明, 泉 聖志
垂直ブリッジマン(VB)法によるFe-Ga単結晶育成における組成と磁歪特性
第49回結晶成長国内会議, 09a-C09, 2020.
松木雄太, 小林 壮, 太子敏則, 干川圭吾, 小林拓実, 鍛治倉 惇
数値解析によるVB法β-Ga2O3単結晶の大口径化育成
第49回結晶成長国内会議, 10a-A05, 2020.
小野塚昂大, 太子敏則, 干川圭吾
VB法β-Ga2O3単結晶の結晶性評価
第49回結晶成長国内会議, 10a-A06, 2020.
高部 守, 太子敏則, 干川圭吾
VB法Snドープβ-Ga2O3単結晶の電気的特性
第49回結晶成長国内会議, 10a-A06, 2020.
釣 将太朗, 太子敏則, 渡辺雄太, 刈谷宣政
CZ-Si結晶育成におけるPの添加方法とP濃度の関係
第49回結晶成長国内会議, 11a-A01, 2020.
水野稔也, 菊地理佳, 太子敏則, 荒井康智
TLZ法による組成均一SiGe結晶育成におけるBの偏析
第49回結晶成長国内会議, 11a-A05, 2020.
前田秀滋、塚田太郎、太子敏則
VB法により育成したKNN混晶の面内不均一性
応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム, 2020.
塚田太郎, 前田秀滋, 太子敏則
NaNbO3の一方向凝固および周辺化合物の晶出と平衡状態図
応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム, 2020.
太子敏則
バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ（招待講演）
応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム, 2020.
泉 聖志, 大久保和彦, 川村祥太郎, 佐藤昌明, 太子敏則, 干川圭吾
垂直ブリッジマン(VB)法によるFe-Ga単結晶の組成制御
第68回応用物理学会春季学術講演会, 17p-Z32-5, 2021.
2019年度
前田秀滋、塚田太郎、太子敏則
垂直ブリッジマン法により育成したKNN結晶（ニオブ酸カリウムナトリウム）の組成および圧電特性評価
第42回 結晶成長討論会, 2019.
塚田太郎, 前田秀滋, 太子敏則
一方向凝固法によるニオブ酸ナトリウム（NN）結晶育成と評価
第42回 結晶成長討論会, 2019.
江原槙吾，土本直道，鈴木皓己，太子敏則
SiCの溶液成長におけるSi-Cr溶媒へのCo添加による表面モフォロジーへの影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-E311-1, 2019.
横林悠太，土本直道，各務祐気，山本周一，鈴木皓己，太子敏則
TSSG法を応用した気相での多結晶SiCコーティング
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-E311-2, 2019.
松木雄太, 小林壮, 太子敏則, 大葉悦子, 小林拓実, 鍛冶倉惇, 干川圭吾
VB法β-Ga2O3単結晶成長のシミュレーション検討
第48回結晶成長国内会議，30p-A11，2019.
太子敏則，干川圭吾
CZ法シリコン結晶成長における融液および結晶中の温度および温度勾配の測定
第48回結晶成長国内会議，01a-A01，2019.
泉 聖志, 大久保 和彦, 川村 祥太郎, 佐藤 昌明, 浅野 恵生, 太子 敏則, 干川 圭吾
垂直ブリッジマン(VB)法によるFe-Ga角柱単結晶の育成
第69回応用物理学会春季学術講演会, 12a-A201-4, 2020.
松木 雄太, 小林 壮, 太子 敏則, 干川 圭吾, 大葉 悦子, 小林 拓実
VB法β-Ga2O3結晶成長における成長速度の計算と制御
第69回応用物理学会春季学術講演会, 12p-A201-6, 2020.
釣 将太朗, 太子 敏則, 渡辺 雄太, 刈谷 宣政
SiP化合物によるリン添加CZ-Si結晶育成
第69回応用物理学会春季学術講演会, 14p-PB9-1, 2020.
小野塚 昂大, 小林 壮, 太子 敏則, 干川 圭吾, 大葉 悦子, 小林 拓実
VB法成長直径２インチβ-Ga2O3単結晶の結晶性評価
第69回応用物理学会春季学術講演会, 13a-D419-11, 2020.
高部 守, 小林 壮, 太子 敏則, 干川 圭吾, 大葉 悦子, 小林 拓実
大気中VB法成長直径2インチβ-Ga2O3単結晶の半導体特性
第69回応用物理学会春季学術講演会, 13a-D419-12, 2020.
2018年度
仁科聖弥、小川晃司、川上こゆき、太子敏則
シリコンゲルマニウム結晶育成におけるるつぼ材の検討
第78回応用物理学会秋季講演会
21a-422-7, 2018.9.6, 名古屋国際会議場（名古屋）, 2018.
鈴木皓己、太子敏則
溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長
第47回結晶成長国内会議
31a-B01, 2018.10.31, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
土本直道、江原槙吾、太子敏則
SiC溶液法における炭素濃度の経時変化を考慮したシミュレーションとその実測
第47回結晶成長国内会議
31a-B02, 2018.10.31, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
大葉悦子, 小林拓実, 中澤みなみ, 太子敏則, 干川圭吾
VB法β-Ga2O3単結晶の育成と(100)面ウェーハ加工
第47回結晶成長国内会議
01a-B05, 2018.11.1, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
川原大貴、太子敏則、干川圭吾、大葉悦子、小林拓実、加渡幹尚
大気中β-Ga2O3結晶育成に適用するPt系合金るつぼ材料
第47回結晶成長国内会議
01a-B06, 2018.11.1, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
星野樹、後藤美寿々、前田秀滋、塚田太郎、太子敏則、番場教子、小川陽平、大畑宙生
垂直ブリッジマン法によるニオブ酸カリウムナトリウム（KNN）混晶育成と強誘電性
第47回結晶成長国内会議
01p-P27, 2018.11.1, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
泉聖志、川村祥太郎、岡野勝彦、西村英一郎、太子敏則、干川圭吾
垂直ブリッジマン（VB）法によるFeGa単結晶の育成
第47回結晶成長国内会議
02a-D01, 2018.11.2, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
小川晃司、川上こゆき、仁科聖弥、太子敏則、荒井康智
TLZ法におけるシリコンゲルマニウム結晶成長のるつぼ材検討
第47回結晶成長国内会議
02a-B05, 2018.11.1, 仙台市戦災復興記念館（仙台）, 2018.
川村祥太郎、泉聖志、岡野勝彦、西村英一郎、太子敏則、干川圭吾
垂直ブリッジマン（VB）法によるFe-Ga単結晶の育成
第66回応用物理学会春季学術講演会
9a-S422-10, 2019.3.9 , 東京工業大学（東京）, 2019.
川上こゆき、小川晃司、菊地理佳、荒井康智、太子敏則
TLZ法によるシリコンゲルマニウム結晶育成におけるB濃度制御⽅法の検討
第66回応用物理学会春季学術講演会
9p-S422-5, 2019.3.9 , 東京工業大学（東京）, 2019.
太子敏則、鈴木皓己、土本直道
SiC 溶液成長における溶質の溶解・輸送・成長
日本金属学会2019 年春期（第164 回）講演大会
S2.11, 2019.3.22, 東京電機大学（東京）2019. （依頼講演）
太子敏則, 後藤美寿々, 星野樹, 番場教子, 小川陽平, 大畑宙生
一方向凝固によるニオブ酸カリウムナトリウム(K1-xNaxNbO3：KNN)混晶の育成と強誘電性
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.
玄光龍，土本 直道，鈴木皓己，太子敏則
Si-Cr-Co溶媒からの高品質・高速SiC溶液成長
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.
太子敏則，干川圭吾
SiCおよび機能性バルク単結晶の育成～融液成長からのSiC溶液成長のアプローチ～
日本学術振興会第161委員会第103回研究会, 2018. （依頼講演）
太子敏則
SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析
日本結晶成長学会バルク分科会第102回研究会, 2018. （依頼講演）
2017年度
太子敏則、高橋大、土本直道、鈴木皓己、玄光龍
TSSG法によるSiC溶液成長における種子づけと溶液中の炭素濃度の関係
第78回応用物理学会秋季講演会, 2017.
高橋大, 玄光龍, 土本直道, 鈴木皓己, 沓掛穂高, 太子敏則
SiC溶液法における坩堝からの炭素の溶解現象と結晶品質の関係－炭素溶解速度と炭素溶解度－
電資情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)研究会, 2017.
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
SiC溶液成長法における溶媒中のCr組成に対する成長ポリタイプの 面内分布及び相対存在割合の評価
先進パワー半導体分科会第4回講演会, 名古屋, 2017.
玄光龍，土本直道，鈴木皓己，太子敏則，手嶋勝弥
Si–Cr–CおよびSi–Cr–M–C (M=Co, Mn) 溶媒によるSiC溶液成長
第12回日本フラックス成長研究発表会, 2017.
太子敏則
TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響
第12回日本フラックス成長研究発表会, 2017. （招待講演）
2016年度以前
浅井健佑，藤原靖幸，太子敏則，干川圭吾，小浜恵一
Li3La2/3-xTiO3のイオン電導度特性と電極－電解質界面抵抗の分離
第77回応用物理学会春季学術講演会, 14p-A25-8, 2016.
玄光龍，高橋大，太子敏則
燃焼赤外吸収法による炭素溶解度の測定
第77回応用物理学会春季学術講演会, 14p-P9-1, 2016.
太子敏則，伊藤幸介，細川和也，干川圭吾，小島孝広, 小松貴幸
タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)結晶成長における初晶の検討
第63回応用物理学会春季学術講演会, 19p-H112-5, 2016.
太子敏則，伊藤幸介，細川和也，干川圭吾，小島孝広, 小松貴幸
タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)結晶成長における初晶の検討
第63回応用物理学会春季学術講演会, 19p-H112-5, 2016.
荒浜智貴，平賀祐希，太子敏則
VB法Ge結晶育成における坩堝内壁状態とB2O3が品質に与える影響
第63回応用物理学会春季学術講演会, 19a-H112-7, 2016.
駒澤晴輝，藤原靖幸，太子敏則，干川圭吾，小浜恵一
固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のイオン伝導特性
第45回結晶成長国内会議, 21aB01, 2015.
吉村正文，坂田信一，山田聖也，太子敏則，干川圭吾
垂直ブリッジマン（VB）法による
Al2O3/YAG:Ce-MGC の成長 a 軸サファイア（Al2O3）種子からの結晶方位の引継ぎ
第45回結晶成長国内会議, 20aB09, 2015.
山田聖也，太子敏則，干川圭吾，吉村正文，坂田信一
Al2O3/YAG:Ce共晶成長条件とコロニー構造
第45回結晶成長国内会議, 20aB08, 2015.
荒浜智貴, 平賀祐希,太子敏則, 米永一郎
VB法Ge結晶育成によるB2O3の効果
第45回結晶成長国内会議, 20aB07, 2015.
鈴木皓己，沓掛穂高，太子敏則
Cr 溶媒からのSiC 溶液成長の検討
第45回結晶成長国内会議, 20PS02, 2015.
沓掛穂高, 日根賢人, 太子敏則
るつぼ底からのSiC溶液成長における溶液内対流と成長の厚さの関係
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015
山田聖也, 大葉悦子, 太子敏則, 干川圭吾, 吉村正文, 坂田信一
垂直ブリッジマン法により育成したAl2O3/YAG:Ce-MGCの微細組織
第62回応用物理学会春季学術講演会, 14a-D13-2, 2015.
杉本圭, 太子敏則, 干川圭吾
VBサファイア結晶中のWインクルージョンの形成機構の検討
第62回応用物理学会春季学術講演会, 14a-D13-1, 2015.
日根賢人, 太子敏則
溶剤添加SiC溶液成長における炭素溶解度測定と溶剤混入量の評価
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-P2-1, 2015.
太子敏則
再利用可能なサファイアフィルタを用いた希少金属の回収
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11a-D12-06, 2015.
小島孝広，長田隼弥，笹浦正弘，古川保典, 太子敏則，細川和也，干川圭吾, 小松貴幸
VB法によるKTN単結晶育成(2) －原料供給による組成均一化－
日本結晶成長学会第95回バルク成長分科会, ２1, 2015.
太子敏則，細川和也，干川圭吾, 小島孝広，長田隼弥，笹浦正弘，古川保典, 小松貴幸,
VB法によるKTN単結晶育成(1) －原料組成と結晶中の組成分布－
日本結晶成長学会第95回バルク成長分科会, 1, 2015.
太子敏則，日根賢人
SiC溶液成長 ～溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス～
応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会, 2014.
太子敏則，細川和也，干川圭吾，小島孝広，長田隼弥，竹川俊二
KTaxNb1-xO3結晶育成 における原料組成と異相の関係
第44回結晶成長国内会議，06aC02，2014.
細川和也，太子敏則，干川圭吾，小島孝広，長田隼弥，竹川俊二
VB法により育成したKTaxNb1-xO3結晶中の組成分布のるつぼ回転効果
第44回結晶成長国内会議，06aC03，2014.
宮川千宏，小林拓実，太子敏則、干川圭吾
VB法サファイア結晶成長の融液流れの解析
第44回結晶成長国内会議，06aP01，2014.
杉本圭，太子敏則，干川圭吾
VBサファイア結晶中のWインクルージョンの形成メカニズム
第44回結晶成長国内会議，06aP02，2014.
山田聖也，大場悦子，干川圭吾，吉村正文，坂田信一
垂直ブリッジマン（VB）法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長（Ⅰ）成長速度と微細組織
第44回結晶成長国内会議，06aP03，2014.
吉村正文，坂田信一，山田聖也，干川圭吾
垂直ブリッジマン（VB）法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長（Ⅱ）サファイア（Al2O3）種子からの成長
第44回結晶成長国内会議，06aP04，2014.
藤原靖幸，干川圭吾，小浜恵一
LixLa(1-x)/3NbO3単結晶のイオン伝導特性
第44回結晶成長国内会議，06aC09，2014.
太子敏則
放射光X線トポグラフィによるSi結晶種子づけ界面近傍の転位の非破壊評価 ＊バルク成長分科会シンポジウム
第44回結晶成長国内会議，07aB06，2014.
日根賢人，太子敏則，干川圭吾
Cr添加における坩堝底からのSiC溶液成長
第44回結晶成長国内会議，08aB08，2014.
荒浜智貴，太子敏則，米永一郎
Ge結晶成長方法によるGa偏析係数の比較
第44回結晶成長国内会議，08aB09，2014.
藤原靖幸，干川圭吾，小浜恵一
LixLa(1-x)/3NbO3単結晶成長とそのイオン伝導特性導特性
電気化学秋季大会，1C24，2014.
駒澤晴輝，藤原靖幸，干川圭吾，小浜恵一
固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3の結晶組織とイオン伝導性の関係
電気化学秋季大会，1C25，2014.
宮川千宏，小林拓実，太子敏則，干川圭吾
大型のVB法サファイア結晶成長の種子付け界面形状と温度分布
第75回応用物理秋季学術講演会，20a-A17-1，2014.
吉村正文，山田聖也，干川圭吾，坂田信一，射場久善，河野孝史
垂直ブリッジマン（VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長（Ⅰ）
第75回応用物理秋季学術講演会，20a-A17-2，2014.
干川圭吾，山田聖也，吉村正文，坂田信一
垂直ブリッジマン（VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長（Ⅱ）
第75回応用物理秋季学術講演会，20a-A17-3，2014.
小島孝広，長田隼弥，竹川俊二，笹浦正弘，小松貴幸，太子敏則，干川圭吾，古川保典
原料供給垂直ブリッジマン法によるKTN結晶成長
第75回応用物理秋季学術講演会，20p-A17-1，2014.
太子敏則，日根賢人，干川圭吾，大黒寛典，坂元秀光, 別所毅
るつぼ底からのSiC溶液成長と炭素溶解度の測定
日本結晶成長学会第91回バルク成長分科会研究会, 2014.
日根賢人，太子敏則，干川圭吾，大黒寛典，加渡幹尚，坂元秀光
Si溶液中におけるるつぼ底からのSiC溶液成長
第8回日本フラックス成長研究発表会, 2013.
細川和也，太子敏則，干川圭吾，羽生真之，小島孝広，宮本晃男，小松貴幸
垂直ブリッジマン法によるKTN単結晶育成と異相の評価
第8回日本フラックス成長研究発表会, 2013.
日根賢人，太子敏則，干川圭吾，大黒寛典，加渡幹尚，坂元秀光
るつぼ底からのSiC溶液成長における温度条件と成長厚さの関係
第43回結晶成長国内会議, 07aA08, 2013.
太子敏則，細川和也，干川圭吾，羽生真之，小島孝広，宮本晃男，小松貴幸
VB 法によるKTa1-xNbxO3 結晶育成
第43回結晶成長国内会議, 07aA06, 2013.
細川和也，太子敏則，干川圭吾，羽生真之，小島孝広，宮本晃男，小松貴幸
KTaO3–KNbO3混晶の一方向凝固
第43回結晶成長国内会議, 07aA05, 2013.
長田隼弥，斉藤義一，太子敏則，干川圭吾
VB法サファイア結晶中の成長速度依存性ボイドの評価
第43回結晶成長国内会議, 06aA10, 2013.
杉本圭，太子敏則，干川圭吾，小林拓実，大葉悦子，篠塚みなみ，宮川千宏
VBサファイア結晶中のインクルージョンの形成機構の解明
第43回結晶成長国内会議, 06aA09, 2013.
干川圭吾，長田隼弥，斎藤義一，太子敏則，大葉悦子，柳澤潤，小林拓実
VB法サファイア結晶成長における種子形状と結晶特性
第43回結晶成長国内会議, 06aA08, 2013.
宮川千宏，小林拓実，太子敏則，干川圭吾
VBサファイア結晶成長における温度分布の数値解析と大形化
第43回結晶成長国内会議, 06aA07, 2013.