装置一覧

精密触媒制御ナノカーボン合成・分析装置

反応解析支援

基本仕様

システム構成:触媒形成用MBE 観察用高真空STM CVD
基材搬送:高真空下半自動
MBE:ソース4種 (Feなど)
CVD最高温度:~1000℃
STM:原子像観察可

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