左上:層状物質の二硫化モリブデン(MoS2)結晶。
右上:機械的剥離により作製した単層MoS2膜(厚さ0.6 nm)。
左下:MoS2膜をチャネルとした電界効果トランジスタ(FET)。
電極以外二次元材料で構成。
右下:MoS2 FETの伝達特性。
低コストで簡易に作製可能な半導体のグラファイト状窒化炭素膜。ホウ素添加によりその発光波長を紫外線側へ変化。可視光側への制御も検討中。
パソコンやスマートフォン等の電気電子機器は目に見えないほどの小さな素子から成り立っていますが、
高性能化のために小型化や新たな材料を用いられてきています。
また近年では、それらの進化し続ける性能に加えてライフサイエンスなど異分野でも利用できる新しい付加価値を
与える必要性が高まってきています。
このような背景から当研究室では、特に層状物質という特異な性質を示す電子材料により、
①新たな現象がみられる電子材料の発見とその応用に加えて、
②電気電子工学に関連する物理性質を複数融合することにより新しい素子の提案と実証を目指しています。
層状物質は物理的性質に注目が集まる一方で、素子応用の検討例が少なく大きな可能性がまだまだ眠っています。当研究室では、新規材料の創成と素子の設計製作の両者から、これまでの常識を打ち破る革新的な電気電子素子の実現に挑みます。
本研究室では、材料やそれから成る素子について総合的に知る必要があります。
また実験装置を自らが動作させ、維持管理を行います。
それらの経験は、電機メーカーを筆頭にインフラや研究機関などにおいて、
幅広く活躍できる技術者になるために活きていきます。