本文へスキップ



信州大学工学部 電子情報システム工学科
太子研究室

アクセス研究業績(2012年以降)

※2011年以前の研究業績 準備中

1.研究論文

2.国際会議プロシーティング

3.著書

4.特許・発明

5・国際会議発表

6.学会発表


1.研究論文

M. Yoshimura, Y. Sakata, S. Yamada, T. Taishi, K. Hoshikawa
The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique
using an a-axis Al2O3 seed
J. Cryst. Growth, 427, 16-20, 2015

M. Yoshimura, S. Sakata, H. Iba, T. Kawano, K. Hoshikawa
Vertical Bridgman growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite
J. Cryst. Growth, 416, 100-105, 2015


T. Suzuki, K. Shirotsuki, M, Shinozuka, T. Taishi, K. Hoshikawa
Contact angle of sapphire melt and bubble generation on crucible material
J. Cryst. Growth, 401, 508-510, 2014.

T. Taishi, T. Kobayashi, M. Shinozuka, E. Ohba, C. Miyagawa, K. Hoshikawa
Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystal
J. Cryst. Growth, 401, 388-391, 2014

K. Hoshikawa, T. Taishi, E. Ohba, C. Miyagawa, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka
Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process
J. Cryst. Growth, 401, 146-149, 2014.

C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation
Journal of Crystal Growth 402 (2014) 83-89.

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Jutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno
Czochralski growth of tin-doped Si crystal
J. Cryst. Growth, 395, 94-97, 2014.

T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth
J. Cryst. Growth, 393, 42-44, 2014.

Y. Ohno, T. Taishi, N. Bamba, I. Yonenaga
Microstructure of striae in <0441>-oriented lithium niobate single crystal growth by Czochralski method
J. Cryst. Growth, 393, 171-174, 2014.

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga
Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements
J. Cryst. Growth, 393, 45-48, 2014.

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Improved Czochralski Growth of Germanium Single Crystals from a Melt Covered by Boron Oxide
ACTA PHYSICA POLONICA A, 124, 231-234, 2013.

T. Taishi, T. Takenaka, K. Hosokawa, N. Bamba, K. Hoshikawa
Growth of potassium tantalite (KTaO3) crystals by directional solidification
J. Cryst. Growth, 380, 39-42, 2013.

S.H. Park, T. Minegishi, D.C. Oh, D. J. Kim, J.H. Chang, T. Yao, T. Taishi, I.Yonenaga
Influence of Isoelectronic Te doping on the Physical Properties of ZnO Films Grown by Molucular-Beam Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys., 52, 055501(1-4), 2013.

C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
J. Cryst. Growth, 372, 95-99, 2013.

S.H. Park, T. Minegishi, D.C. Oh, J.H. Chang, T. Yao, T. Taishi, I.Yonenaga
p-type conductivity control of heteroepitaxially grown ZnO films by N and Te codoping and thermal annealing
J. Cryst. Growth, 363, 190-194, 2013.

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa,
I. Yonenaga
Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium : Infrared absorption studies
J. Appl. Phys., 113, 073501 (1-5), 2013.

I. Yonenaga, T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, K. Inoue, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, Y. Hashimoto
Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method
Physica B, 407, 2932-2934, 2012.

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, I. Yonenaga
Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B2O3
J. Cryst. Growth, 360, 47-51, 2012.


2.国際会議プロシーティング

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Constitutional supercooling in Czochralski Si crystal growth heavily doped with B, Ge and As
Proceedings of The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, 127-131, 2014.

T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds
The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials, pp.71-74, 2012.

T. Taishi, K. Hoshikawa, H. Sakamoto, H. Suzuki
Solution growth of SiC crystal from the crucible bottom
The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials, pp.67-70, 2012.


3.著書

T. Taishi, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, J. Osada, Ma. Sasaura, Y. Furukawa, and T. Komatsu  
The Growth of Potassium Tantalate Niobate (KTaxNb1-xO3) Single Crystal by Vertical Bridgman Method  
Additive Manufacturing and Strategic Technologies in Advanced Ceramics: Ceramic Transactions, Volume 258, pp.105-112, 2016.

Yasuyuki Fujiwara, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Keiichi Kohama, and Hideki Iba Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa(1%x)/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification
Japanese Journal of Applied Physics 55 (2016) 090306.

T. Taishi, I. Yonenaga
Growth of Ge crystals with extremely low dislocation density
Germanium: Properties, Production and Applications, pp. 299-315
Nova Science Publications, Inc., 2012, ISBN 978-1-61209-205-8.


4.特許・発明:日本及び外国の特許庁で登録された
        特許・実用新案等

太子敏則
SiC単結晶の製造方法
特願2015-193699.

太子敏則
ろ過器およびその製造方法ならびにこれを用いた金属回収方法
特願2015-046885.

新井進, 太子敏則, 服部義之
リチウムイオン電池用負極材料
特願2013-271077


5.国際会議発表

T. Taishi, K. Ito, K. Hosokawa, K. Hoshikawa, T. Kojima, T. Komatsu  
Investigation on primary phases in potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystal growth in directional solidification
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy in Nagoya 2016

K. Suzuki、T. Taishi  
Solution growth of SiC from metal solvent
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy in Nagoya 2016

T.Taishi et al
Growth of pottassium tantalate niobate(KTaxNb1-xO3: KTN) crystal by the vertical
Bridgman (VB) method
11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications in バンクーバー, 2015

R. K. Arief, T. Taishi, S. Arai,
Characterization of gold-deposited boron-doped conductive silicon prepared by alkali etching as a battery component,
Abstracts of EMNT2014 (10th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technologies), P-039, 2014.

C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa,
Temperature distribution analysis for large-size sapphire growth by vertical Bridgman technique,
24th American Association for Crystal Growth and Epitaxy, Western Section Conference on Crystal Growth & Epitaxy, 2014.

T. Taishi et al.
Constitutional supercooling in Czochralski Si crystal growth heavily doped with B, Ge and As
The 7th Forumonthe Science and Technology of Silicon Materials 2014.

C. Miyagawa, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa
Effect of heat transfer on the crystal-melt interface shape of sapphire crystal grown using the vertical Bridgman method
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

T. Taishi, T. Kobayashi, M. Shinozuka, E. Ohba, C. Miyagawa, K. Hoshikawa
Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

J. Osada, T. Suzuki, T. Taishi, K. Hoshikawa,
Characteristic Void Alignment in Sapphire Crystals Grown by the Vertical Bridgman Method
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
2013.

E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka, C. Miyagawa, T. Taishi, K. Hoshikawa
Vertical Bridgman Growth of Sapphire Crystals with Thin Neck Formation Process
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

K. Hoshikawa, E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, M. Shinozuka, C. Miyagawa, T. Taishi
Vertical Bridgman Growth of Sapphire - Seed crystal shapes and seeding processes-
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

T. Suzuki, K. Shirotsuki, T. Taishi, K. Hoshikawa
Specific Surface Free Energy of Crucible Material for Sapphire Crystal Synthesis
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno
Growth of heavily tin-doped Si
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2013.

I. Yonenaga, T. Taishi
Estimation of stress operating in a Si crystal growth front
The 19th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy,
2012.

T. Taishi
Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt
2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, C6, 2012. (invited)

Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
Morphology and Microstructure of GeAs Islands Formed on Ge(111) Surfaces
International Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS-2012,
M.P.19, 2012.

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
Impurity–Dependent Dislocation Dynamics in Ge
International Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS-2012,
M.P.17, 2012.


6.国内学会発表

 浅井健佑,藤原靖幸,太子敏則,干川圭吾,小浜恵一
 Li3La2/3-xTiO3のイオン電導度特性と電極-電解質界面抵抗の分離
 第77回応用物理学会春季学術講演会, 14p-A25-8, 2016.
 
 玄光龍,高橋大,太子敏則
 燃焼赤外吸収法による炭素溶解度の測定
 第77回応用物理学会春季学術講演会, 14p-P9-1, 2016.
 

太子敏則,伊藤幸介,細川和也,干川圭吾,小島孝広, 小松貴幸
タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)結晶成長における初晶の検討
第63回応用物理学会春季学術講演会, 19p-H112-5, 2016.

荒浜智貴,平賀祐希,太子敏則
VB法Ge結晶育成における坩堝内壁状態とB2O3が品質に与える影響
第63回応用物理学会春季学術講演会, 19a-H112-7, 2016.

駒澤晴輝,藤原靖幸,太子敏則,干川圭吾,小浜恵一
固体電解質Lix La(1-x)/3NbO3のイオン伝導特性
第45回結晶成長国内会議, 21aB01, 2015.

吉村正文,坂田信一,山田聖也,太子敏則,干川圭吾
垂直ブリッジマン(VB)法による
Al2O3/YAG:Ce-MGC の成長 a 軸サファイア(Al2O3)種子からの結晶方位の引継ぎ
第45回結晶成長国内会議, 20aB09, 2015.

山田聖也,太子敏則,干川圭吾,吉村正文,坂田信一
Al2O3/YAG:Ce共晶成長条件とコロニー構造
第45回結晶成長国内会議, 20aB08, 2015.

荒浜智貴, 平賀祐希,太子敏則, 米永一郎
VB法Ge結晶育成によるB2O3の効果
第45回結晶成長国内会議, 20aB07, 2015.

鈴木皓己,沓掛穂高,太子敏則
Cr 溶媒からのSiC 溶液成長の検討
第45回結晶成長国内会議, 20PS02, 2015.

沓掛穂高, 日根賢人, 太子敏則
るつぼ底からのSiC溶液成長における溶液内対流と成長の厚さの関係
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015

山田聖也, 大葉悦子, 太子敏則, 干川圭吾, 吉村正文, 坂田信一
垂直ブリッジマン法により育成したAl2O3/YAG:Ce-MGCの微細組織
第62回応用物理学会春季学術講演会, 14a-D13-2, 2015.

杉本圭, 太子敏則, 干川圭吾
VBサファイア結晶中のWインクルージョンの形成機構の検討
第62回応用物理学会春季学術講演会, 14a-D13-1, 2015.

日根賢人, 太子敏則
溶剤添加SiC溶液成長における炭素溶解度測定と溶剤混入量の評価
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-P2-1, 2015.

太子敏則
再利用可能なサファイアフィルタを用いた希少金属の回収
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11a-D12-06, 2015.

小島孝広,長田隼弥,笹浦正弘,古川保典, 太子敏則,細川和也,干川圭吾, 小松貴幸
VB法によるKTN単結晶育成(2) -原料供給による組成均一化-
日本結晶成長学会第95回バルク成長分科会, 21, 2015.

太子敏則,細川和也,干川圭吾, 小島孝広,長田隼弥,笹浦正弘,古川保典, 小松貴幸,
VB法によるKTN単結晶育成(1) -原料組成と結晶中の組成分布-
日本結晶成長学会第95回バルク成長分科会, 1, 2015.

太子敏則,日根賢人
SiC溶液成長 ~溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス~
応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会, 2014.
太子敏則,細川和也,干川圭吾,小島孝広,長田隼弥,竹川俊二
KTaxNb1-x O3結晶育成 における原料組成と異相の関係
第44回結晶成長国内会議,06aC02,2014.

細川和也,太子敏則,干川圭吾,小島孝広,長田隼弥,竹川俊二
VB法により育成したKTaxNb1-xO3結晶中の組成分布のるつぼ回転効果
第44回結晶成長国内会議,06aC03,2014.

宮川千宏,小林拓実,太子敏則、干川圭吾
VB法サファイア結晶成長の融液流れの解析
第44回結晶成長国内会議,06aP01,2014.

杉本圭,太子敏則,干川圭吾
VBサファイア結晶中のWインクルージョンの形成メカニズム
第44回結晶成長国内会議,06aP02,2014.

山田聖也,大場悦子,干川圭吾,吉村正文,坂田信一
垂直ブリッジマン(VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長(Ⅰ)成長速度と微細組織
第44回結晶成長国内会議,06aP03,2014.

吉村正文,坂田信一,山田聖也,干川圭吾
垂直ブリッジマン(VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長(Ⅱ)サファイア(Al2O3)種子からの成長
第44回結晶成長国内会議,06aP04,2014.

藤原靖幸,干川圭吾,小浜恵一
LixLa(1-x)/3NbO3単結晶のイオン伝導特性
第44回結晶成長国内会議,06aC09,2014.

太子敏則
放射光X線トポグラフィによるSi結晶種子づけ界面近傍の転位の非破壊評価 *バルク成長分科会シンポジウム
第44回結晶成長国内会議,07aB06,2014.

日根賢人,太子敏則,干川圭吾
Cr添加における坩堝底からのSiC溶液成長
第44回結晶成長国内会議,08aB08,2014.

荒浜智貴,太子敏則,米永一郎
Ge結晶成長方法によるGa偏析係数の比較
第44回結晶成長国内会議,08aB09,2014.

藤原靖幸,干川圭吾,小浜恵一
LixLa(1-x)/3NbO3単結晶成長とそのイオン伝導特性導特性
電気化学秋季大会,1C24,2014.

駒澤晴輝,藤原靖幸,干川圭吾,小浜恵一
固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3の結晶組織とイオン伝導性の関係
電気化学秋季大会,1C25,2014.

宮川千宏,小林拓実,太子敏則,干川圭吾
大型のVB法サファイア結晶成長の種子付け界面形状と温度分布
第75回応用物理秋季学術講演会,20a-A17-1,2014.

吉村正文,山田聖也,干川圭吾,坂田信一,射場久善,河野孝史
垂直ブリッジマン(VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長(Ⅰ)
第75回応用物理秋季学術講演会,20a-A17-2,2014.

干川圭吾,山田聖也,吉村正文,坂田信一
垂直ブリッジマン(VB)法によるAl2O3/YAG:Ce-MGCの成長(Ⅱ)
第75回応用物理秋季学術講演会,20a-A17-3,2014.

小島孝広,長田隼弥,竹川俊二,笹浦正弘,小松貴幸,太子敏則,干川圭吾,古川保典
原料供給垂直ブリッジマン法によるKTN結晶成長
第75回応用物理秋季学術講演会,20p-A17-1,2014.

太子敏則,日根賢人,干川圭吾,大黒寛典,坂元秀光, 別所毅
るつぼ底からのSiC溶液成長と炭素溶解度の測定
日本結晶成長学会第91回バルク成長分科会研究会, 2014.

日根賢人,太子敏則,干川圭吾,大黒寛典,加渡幹尚,坂元秀光
Si溶液中におけるるつぼ底からのSiC溶液成長
第8回日本フラックス成長研究発表会, 2013.

細川和也,太子敏則,干川圭吾,羽生真之,小島孝広,宮本晃男,小松貴幸
垂直ブリッジマン法によるKTN単結晶育成と異相の評価
第8回日本フラックス成長研究発表会, 2013.

日根賢人,太子敏則,干川圭吾,大黒寛典,加渡幹尚,坂元秀光
るつぼ底からのSiC溶液成長における温度条件と成長厚さの関係
第43回結晶成長国内会議, 07aA08, 2013.

太子敏則,細川和也,干川圭吾,羽生真之,小島孝広,宮本晃男,小松貴幸
VB 法によるKTa1-xNbxO3 結晶育成
第43回結晶成長国内会議, 07aA06, 2013.

細川和也,太子敏則,干川圭吾,羽生真之,小島孝広,宮本晃男,小松貴幸
KTaO3–KNbO3混晶の一方向凝固
第43回結晶成長国内会議, 07aA05, 2013.

長田隼弥,斉藤義一,太子敏則,干川圭吾
VB法サファイア結晶中の成長速度依存性ボイドの評価
第43回結晶成長国内会議, 06aA10, 2013.

杉本圭,太子敏則,干川圭吾,小林拓実,大葉悦子,篠塚みなみ,宮川千宏
VBサファイア結晶中のインクルージョンの形成機構の解明
第43回結晶成長国内会議, 06aA09, 2013.

干川圭吾,長田隼弥,斎藤義一,太子敏則,大葉悦子,柳澤潤,小林拓実
VB法サファイア結晶成長における種子形状と結晶特性
第43回結晶成長国内会議, 06aA08, 2013.

宮川千宏,小林拓実,太子敏則,干川圭吾
VBサファイア結晶成長における温度分布の数値解析と大形化
第43回結晶成長国内会議, 06aA07, 2013.